书目详细信息
： 相变存储器
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-026740-5:CNY49.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 相变存储器/.宋志棠著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2010 |
| 载体形态项： | 253页:;+图:;+25cm |
| 丛编项： | 应用物理学丛书 |
| 提要文摘： | 本书提出了快速发现新型相变材料的理论与方法，高密度存储单元的优化设计与存储性能表征，高密度存储单元的纳米加工机理，以及降低操作电流的多种途径，PcRAM芯片的设计与制造等。 |
| 题名主题： | 相变 存储器 |
| 中图分类： | TP333 |
| 中图分类： | TP333 |
| 个人名称等同： | 宋志棠 著 |
| 记录来源： | CN 江苏新华 20100528 |
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