书目详细信息
： 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-81129-126-1:CNY25.00 |
|---|---|
| ISBN/价格： | 7-81129-126-6 |
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 230000 |
| 题名责任者项： | 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究/.赵晓锋著 |
| 出版发行项： | 哈尔滨:,黑龙江大学出版社:,2009 |
| 载体形态项： | 246页:;+图:;+21cm |
| 丛编项： | 黑龙江大学学术文库 |
| 提要文摘： | 本书共分七章，主要内容包括：绪论、纳米硅薄膜制备及表征研究、MOSFETs压/磁多功能传感器理论分析、纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构设计和电源激励方式、实验结果与讨论等。 |
| 题名主题： | 压力传感器 研究 |
| 题名主题： | 磁性传感器 研究 |
| 中图分类： | TP212 |
| 个人名称等同： | 赵晓锋 著 |
| 记录来源： | CN 江苏新华soft.cn 20150511 |
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